Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQ4946AEY-T1_GE3

SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 7A 4W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4946AEY-T1_GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SQ4946AEY-T1_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQ4946AEY-T1_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQ4946AEY-T1_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQ4946AEY-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQ4946AEY-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQ4946AEY-T1_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQ4946AEY-T1_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.