SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.35 грн |
| 5000+ | 24.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 4W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ4946CEY-T1_GE3 за ціною від 23.57 грн до 79.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 4W euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 13050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE |
на замовлення 112545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A T/R |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A T/R |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 4W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 13050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
SQ4946CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A T/R |
товар відсутній |