Продукція > VISHAY > SQ4949EY-T1_BE3
SQ4949EY-T1_BE3

SQ4949EY-T1_BE3 Vishay

doc67035.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.52 грн
5000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4949EY-T1_BE3 Vishay

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4949EY-T1_BE3 за ціною від 46.42 грн до 169.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4949EY-T1_BE3 SQ4949EY-T1_BE3 Виробник : Vishay doc67035.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.32 грн
5000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3 SQ4949EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4949ey.pdf MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.10 грн
10+105.36 грн
100+70.77 грн
500+56.12 грн
1000+51.99 грн
2500+46.65 грн
5000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3 SQ4949EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4949ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.31 грн
10+104.82 грн
100+71.39 грн
500+53.58 грн
1000+52.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3 SQ4949EY-T1_BE3 Виробник : Vishay doc67035.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3 SQ4949EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4949ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.