Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4949EY-T1_GE3
SQ4949EY-T1_GE3

SQ4949EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4949ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4949EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4949EY-T1_GE3 за ціною від 46.81 грн до 150.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4949EY-T1_GE3 SQ4949EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4949ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.02 грн
10+90.03 грн
100+67.85 грн
500+50.92 грн
1000+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_GE3 SQ4949EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4949ey.pdf MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
на замовлення 32425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.70 грн
10+102.65 грн
100+71.04 грн
250+70.32 грн
500+56.31 грн
1000+50.65 грн
2500+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq4949ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_GE3 SQ4949EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4949ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.