Продукція > VISHAY > SQ4961EY-T1_GE3
SQ4961EY-T1_GE3

SQ4961EY-T1_GE3 Vishay

doc67539.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
247+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4961EY-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4961EY-T1_GE3 за ціною від 41.14 грн до 162.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay doc67539.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+83.96 грн
11+72.60 грн
25+72.19 грн
100+60.71 грн
250+55.65 грн
500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq4961ey.pdf MOSFETs Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 25530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.18 грн
10+95.75 грн
100+56.76 грн
500+45.24 грн
1000+43.43 грн
2500+42.74 грн
5000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4961ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.36 грн
10+100.20 грн
100+68.01 грн
500+50.89 грн
1000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4961ey.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1140 @ 25, Qg, нКл = 40, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+94.72 грн
10+88.41 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay doc67539.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4961ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.