| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 247+ | 57.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
247 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4961EY-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ4961EY-T1_GE3 за ціною від 43.59 грн до 171.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 22299 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1140 @ 25, Qg, нКл = 40, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 5 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| SQ4961EY-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.86 грн |
| 11+ | 74.25 грн |
| 25+ | 73.82 грн |
| 100+ | 62.08 грн |
| 250+ | 56.91 грн |
| 500+ | 49.58 грн |
| SQ4961EY-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.43 грн |
| 10+ | 99.01 грн |
| 100+ | 67.20 грн |
| 500+ | 50.29 грн |
| 1000+ | 46.18 грн |
| SQ4961EY-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
MOSFETs Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 22299 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.50 грн |
| 10+ | 82.42 грн |
| 100+ | 64.14 грн |
| 500+ | 50.97 грн |
| 1000+ | 49.44 грн |
| 2500+ | 45.93 грн |
| 5000+ | 43.59 грн |
| SQ4961EY-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1140 @ 25, Qg, нКл = 40, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1140 @ 25, Qg, нКл = 40, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 77.50 грн |