Технічний опис SQ7414AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 16, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung Pd: 62, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung: 62, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQ7414AEN-T1_BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQ7414AEN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 |
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SQ7414AEN-T1"BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 16 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 62 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 62 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SQ7414AEN-T1_BE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ7414AEN-T1_BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
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| SQ7414AEN-T1"BE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
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| SQ7414AEN-T1_BE3 |
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Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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