SQ7415AEN-T1_GE3

SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq7415aen.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8.

Інші пропозиції SQ7415AEN-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ7415AEN-T1_GE3 SQ7415AEN-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq7415aen.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3 SQ7415AEN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQ7415AEN-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3 SQ7415AEN-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq7415aen.pdf MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.