SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 24.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.
Інші пропозиції SQ7415AEN-T1_GE3 за ціною від 22.24 грн до 30.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQ7415AEN-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SQ7415AEN-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SQ7415AEN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SQ7415AEN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SQ7415AEN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQ7415AEN-T1_GE3 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualified |
товар відсутній |