Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQ7415AENW-T1_GE3
SQ7415AENW-T1_GE3

SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Semiconductors

sq7415aenw-1766724.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQ7415AENW-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ7415AENW-T1_GE3 SQ7415AENW-T1_GE3 VISHAY 3006514.pdf Description: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 SQ7415AENW-T1_GE3 VISHAY 3006514.pdf Description: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 3006514.pdf
SQ7415AENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3 3006514.pdf
SQ7415AENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.