SQ7415AENW-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.17 грн |
| 500+ | 37.15 грн |
| 1000+ | 24.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ7415AENW-T1_GE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQ7415AENW-T1_GE3 за ціною від 24.77 грн до 84.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ7415AENW-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQ7415AENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SQ7415AENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SQ7415AENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SQ7415AENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQ7415AENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |