SQ7415CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.86 грн |
| 6000+ | 23.09 грн |
| 9000+ | 22.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ7415CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 53W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm.
Інші пропозиції SQ7415CENW-T1_GE3 за ціною від 22.30 грн до 172.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 53W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm |
на замовлення 16634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 9571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 9484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
P-Channel 60 V 16A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W |
на замовлення 48 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SQ7415CENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
товару немає в наявності |