SQ9407EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ9407EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ9407EY-T1_BE3 за ціною від 29.57 грн до 88.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ9407EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ9407EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 60 V |
на замовлення 77330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SQ9407EY-T1_BE3 Код товару: 198760 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
SQ9407EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQ9407EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |