Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ9407EY-T1_GE3

SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQ9407EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12249086-3
Price: 79100.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	31.64 грн
5000+	28.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 3.75W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm.

Інші пропозиції SQ9407EY-T1_GE3 за ціною від 29.41 грн до 119.20 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQ9407EY-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0013276554-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm

на замовлення 22891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.20 грн
500+	36.57 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ9407EY-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm

на замовлення 22786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.70 грн
50+	77.48 грн
100+	54.20 грн
500+	36.57 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ9407EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.94 грн
10+	70.22 грн
100+	47.07 грн
500+	34.85 грн
1000+	31.84 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ9407EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.20 грн
10+	75.10 грн
100+	43.49 грн
500+	34.24 грн
1000+	31.34 грн
2500+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ9407EY-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm

на замовлення 22891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	54.20 грн
500+	36.57 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ9407EY-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm

на замовлення 22786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	104.70 грн
50+	77.48 грн
100+	54.20 грн
500+	36.57 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ9407EY-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	114.94 грн
10+	70.22 грн
100+	47.07 грн
500+	34.85 грн
1000+	31.84 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ9407EY-T1_GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	119.20 грн
10+	75.10 грн
100+	43.49 грн
500+	34.24 грн
1000+	31.34 грн
2500+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.