SQ9945BEY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.6 грн |
| 10+ | 55.7 грн |
| 100+ | 43.34 грн |
| 500+ | 34.47 грн |
| 1000+ | 28.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ9945BEY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ9945BEY-T1_BE3 за ціною від 25.9 грн до 76.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ9945BEY-T1_BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) |
на замовлення 55440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ9945BEY-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |