Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ9945BEY-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_GE3

SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq9945bey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQ9945BEY-T1_GE3 за ціною від 28.08 грн до 89.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQ9945BEY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Power dissipation: 4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.53 грн
8+ 46.06 грн
23+ 35.38 грн
63+ 33.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006536.pdf Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.7 грн
500+ 43.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQ9945BEY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Power dissipation: 4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.4 грн
23+ 42.45 грн
63+ 39.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq9945bey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.6 грн
10+ 55.7 грн
100+ 43.34 грн
500+ 34.47 грн
1000+ 28.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006536.pdf Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6
Verlustleistung Pd: 4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.68 грн
11+ 73.06 грн
100+ 56.7 грн
500+ 43.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq9945bey-1765616.pdf MOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.35 грн
10+ 79.65 грн
100+ 53.74 грн
500+ 44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9945BEY-T1-GE3 sq9945bey.pdf
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq9945bey.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq9945bey.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq9945bey.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1-GE3 SQ9945BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq9945bey.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1-GE3 SQ9945BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq9945bey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
товар відсутній