Продукція > VISHAY > SQ9945BEY-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_GE3

SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay

doc71504.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+87.98 грн
177+79.82 грн
500+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SQ9945BEY-T1_GE3 за ціною від 33.06 грн до 119.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq9945bey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.66 грн
10+73.35 грн
100+49.02 грн
500+36.21 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq9945bey-1765616.pdf MOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1-GE3 sq9945bey.pdf
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.66 грн
10+73.35 грн
100+49.02 грн
500+36.21 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey-1765616.pdf
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1-GE3 sq9945bey.pdf
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.