SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.37 грн |
| 500+ | 41.17 грн |
| 1000+ | 34.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQ9945BEY-T1_GE3 за ціною від 34.72 грн до 133.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 13873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.1A Power dissipation: 4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 777 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SQ9945BEY-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT S Q9 |
товару немає в наявності |