SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Технічний опис SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 13.6W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.
Інші пропозиції SQA401CEJW-T1_GE3 за ціною від 10.46 грн до 31.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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SQA401CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) |
на замовлення 4230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQA401CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 13.6W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQA401CEJW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 29084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQA401CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 13.6W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQA401CEJW-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.00 грн |
| 12+ | 25.30 грн |
| 100+ | 17.56 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 10.46 грн |
| SQA401CEJW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQA401CEJW-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 29084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQA401CEJW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: TrenchFET
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
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Produktpalette: TrenchFET
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на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)