Продукція > VISHAY > SQA401EJ-T1_GE3
SQA401EJ-T1_GE3

SQA401EJ-T1_GE3 VISHAY

2328164.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.59 грн
500+17.54 грн
1000+14.52 грн
5000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA401EJ-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQA401EJ-T1_GE3 за ціною від 12.00 грн до 62.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqa401ej.pdf Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.13 грн
22+40.14 грн
100+26.59 грн
500+17.54 грн
1000+14.52 грн
5000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqa401ej.pdf MOSFETs -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.09 грн
10+40.89 грн
100+23.55 грн
500+18.12 грн
1000+16.31 грн
3000+15.10 грн
6000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa401ej.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 Виробник : Vishay sqa401ej.pdf P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.