Продукція > VISHAY SILICONIX > SQA407CEJW-T1_GE3

SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqa407cejw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.84 грн
9000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQA407CEJW-T1_GE3 за ціною від 10.81 грн до 62.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqa407cejw.pdf MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+48.17 грн
10+31.69 грн
100+21.47 грн
500+16.44 грн
1000+14.86 грн
3000+11.64 грн
6000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa407cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.55 грн
10+37.28 грн
50+27.33 грн
100+22.63 грн
500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 VISHAY 3789920.pdf Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 VISHAY 3789920.pdf Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 sqa407cejw.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.17 грн
10+31.69 грн
100+21.47 грн
500+16.44 грн
1000+14.86 грн
3000+11.64 грн
6000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 sqa407cejw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.55 грн
10+37.28 грн
50+27.33 грн
100+22.63 грн
500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 3789920.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 3789920.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.