Продукція > VISHAY SILICONIX > SQA409CEJW-T1_GE3
SQA409CEJW-T1_GE3

SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqa409cejw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.31 грн
10+33.51 грн
100+21.64 грн
500+15.51 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 13.6W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції SQA409CEJW-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 VISHAY 3964996.pdf Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqa409cejw.pdf MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 VISHAY 3964996.pdf Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 3964996.pdf
SQA409CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 sqa409cejw.pdf
SQA409CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 3964996.pdf
SQA409CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.