Продукція > VISHAY > SQA409CEJW-T1_GE3
SQA409CEJW-T1_GE3

SQA409CEJW-T1_GE3 VISHAY


3964996.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.62 грн
500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA409CEJW-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQA409CEJW-T1_GE3 за ціною від 11.19 грн до 58.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3964996.pdf Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.34 грн
23+37.32 грн
100+25.62 грн
500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqa409cejw.pdf MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.11 грн
10+36.78 грн
100+20.64 грн
500+15.80 грн
1000+14.22 грн
3000+13.01 грн
6000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa409cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.89 грн
10+35.05 грн
100+22.63 грн
500+16.22 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa409cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.