SQA410EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA410EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 13.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Інші пропозиції SQA410EJ-T1_GE3 за ціною від 16.67 грн до 75.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA410EJ-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 212021 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQA410EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6 |
на замовлення 8959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQA410EJ-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 13.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SQA410EJ-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQA410EJ-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 212021 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.73 грн |
| 10+ | 45.33 грн |
| 100+ | 30.25 грн |
| 500+ | 23.95 грн |
| 1000+ | 19.14 грн |
| 3000+ | 17.34 грн |
| 9000+ | 16.67 грн |
| SQA410EJ-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
Description: MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
на замовлення 8959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.22 грн |
| 10+ | 45.37 грн |
| 50+ | 33.46 грн |
| 100+ | 27.79 грн |
| 500+ | 21.42 грн |
| SQA410EJ-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQA410EJ-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)