SQA411CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.81 грн |
| 9000+ | 11.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA411CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.46A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SQA411CEJW-T1_GE3 за ціною від 15.26 грн до 55.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQA411CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.46A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 86950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQA411CEJW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 22877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQA411CEJW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 86950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.38 грн |
| 10+ | 33.06 грн |
| 50+ | 24.21 грн |
| 100+ | 20.01 грн |
| 500+ | 15.26 грн |
| SQA411CEJW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 22877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)