Продукція > VISHAY > SQA413CEJW-T1_GE3
SQA413CEJW-T1_GE3

SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY

sqa413cejw.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA413CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.0308 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.29 грн
500+7.57 грн
1000+6.63 грн
5000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQA413CEJW-T1_GE3 за ціною від 6.28 грн до 33.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa413cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqa413cejw.pdf Description: VISHAY - SQA413CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.0308 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.61 грн
54+15.48 грн
100+10.29 грн
500+7.57 грн
1000+6.63 грн
5000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa413cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
13+25.38 грн
100+17.65 грн
500+12.93 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqa413cejw.pdf MOSFET
на замовлення 36142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.48 грн
13+28.02 грн
100+18.20 грн
500+14.31 грн
1000+12.92 грн
3000+10.94 грн
9000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqa413cejw.pdf SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.