Продукція > VISHAY SILICONIX > SQA444CEJW-T1_GE3
SQA444CEJW-T1_GE3

SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqa444cejw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
11+ 25.67 грн
100+ 17.83 грн
500+ 13.07 грн
1000+ 10.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQA444CEJW-T1_GE3 за ціною від 10.69 грн до 33.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQA444CEJW-T1_GE3 SQA444CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqa444cejw.pdf MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 28398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 27.88 грн
100+ 18.13 грн
500+ 14.28 грн
1000+ 12.82 грн
3000+ 10.89 грн
9000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQA444CEJW-T1_GE3 SQA444CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa444cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній