SQA446CEJW-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQA446CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 62895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.42 грн |
| 500+ | 16.32 грн |
| 1000+ | 13.30 грн |
| 5000+ | 10.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA446CEJW-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQA446CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQA446CEJW-T1_GE3 за ціною від 8.70 грн до 47.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQA446CEJW-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA446CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 62900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQA446CEJW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQA446CEJW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C AEC-Q101 |
на замовлення 56918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQA446CEJW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |