Продукція > VISHAY > SQA448CEJW-T1-GE3

SQA448CEJW-T1-GE3 Vishay



Виробник: Vishay
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.91 грн
10+33.74 грн
100+20.01 грн
500+17.53 грн
1000+14.37 грн
2500+12.49 грн
10000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA448CEJW-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SQA448CEJW-T1-GE3 за ціною від 11.89 грн до 63.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQA448CEJW-T1_GE3 SQA448CEJW-T1_GE3 Vishay sqa448cejw.pdf MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+63.37 грн
10+38.50 грн
100+22.04 грн
500+17.30 грн
1000+15.80 грн
3000+13.47 грн
6000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA448CEJW-T1_GE3 SQA448CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa448cejw.pdf Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA448CEJW-T1_GE3 sqa448cejw.pdf
Виробник: Vishay
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.37 грн
10+38.50 грн
100+22.04 грн
500+17.30 грн
1000+15.80 грн
3000+13.47 грн
6000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA448CEJW-T1_GE3 sqa448cejw.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.