Технічний опис SQA448CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SQA448CEJW-T1_GE3 за ціною від 14.91 грн до 59.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA448CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQA448CEJW-T1_GE3 | Vishay |
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SQA448CEJW-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SQA448CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.44 грн |
| 10+ | 35.70 грн |
| 100+ | 23.09 грн |
| 500+ | 16.56 грн |
| 1000+ | 14.91 грн |
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQA448CEJW-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)