SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.94 грн |
| 20+ | 16.82 грн |
| 100+ | 13.01 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 12.80 грн |
| 3000+ | 11.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4.1nC, On-state resistance: 56mΩ, Drain current: 2.25A, Power dissipation: 13.6W, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 30V, Case: PowerPAK® SC70.
Інші пропозиції SQA470EEJ-T1_GE3 за ціною від 29.90 грн до 48.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA470EEJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQA470EEJ-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.26 грн |
| 10+ | 40.07 грн |
| 100+ | 29.90 грн |