SQA470EJ-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQA470EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 20.12 грн |
| 500+ | 14.53 грн |
| 1000+ | 9.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA470EJ-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQA470EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm.
Інші пропозиції SQA470EJ-T1_GE3 за ціною від 9.64 грн до 38.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQA470EJ-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA470EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQA470EJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SQA470EJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SQA470EJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
товар відсутній |