SQA600CEJW-T1_GE3

SQA600CEJW-T1_GE3 Vishay Semiconductors


sqa600cejw-2886009.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.34 грн
10+42.15 грн
100+27.43 грн
500+21.57 грн
1000+16.69 грн
3000+15.09 грн
9000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA600CEJW-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.6mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQA600CEJW-T1_GE3 за ціною від 15.17 грн до 60.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQA600CEJW-T1_GE3 SQA600CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa600cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.18 грн
10+36.20 грн
100+23.43 грн
500+16.83 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQA600CEJW-T1_GE3 SQA600CEJW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqa600cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.