SQA602CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA602CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA602CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80V, 5.63A, 94 mOhm, PowerPAK SC-70W, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQA602CEJW-T1_GE3 за ціною від 7.86 грн до 84.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA602CEJW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 94 mO 10V, 110 mO 4.5V |
на замовлення 6967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQA602CEJW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQA602CEJW-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA602CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80V, 5.63A, 94 mOhm, PowerPAK SC-70W, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|