Продукція > VISHAY SILICONIX > SQAA42CEJW-T1_GE3
SQAA42CEJW-T1_GE3

SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqaa42cejw.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
12+27.31 грн
100+17.53 грн
500+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції SQAA42CEJW-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQAA42CEJW-T1_GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqaa42cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqaa42cejw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 sqaa42cejw.pdf
SQAA42CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQAA42CEJW-T1_GE3 sqaa42cejw.pdf
SQAA42CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.