SQD07N25-350H_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.82 грн |
| 10+ | 115.06 грн |
| 100+ | 71.29 грн |
| 500+ | 58.05 грн |
| 1000+ | 56.21 грн |
| 2000+ | 47.75 грн |
| 4000+ | 43.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD07N25-350H_GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQD07N25-350H_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD07N25-350H_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товару немає в наявності |
|
 |
SQD07N25-350H_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товару немає в наявності |
|
 |
SQD07N25-350H_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SQD07N25-350H_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SQD07N25-350H-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD0 |
товару немає в наявності |