Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD100N02-3M5L_GE3
SQD100N02-3M5L_GE3

SQD100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix

sqd100n02-3m5l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+90.43 грн
100+70.31 грн
500+55.93 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD100N02-3M5L_GE3 за ціною від 41.12 грн до 132.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD100N02-3M5L_GE3 SQD100N02-3M5L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd100n02-3m5l.pdf MOSFETs N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.18 грн
10+88.83 грн
100+60.99 грн
500+50.69 грн
1000+43.99 грн
2000+41.93 грн
4000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N02-3M5L_GE3 Виробник : Vishay sqd100n02-3m5l.pdf Automotive N-Channel 20 V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N02-3M5L_GE3 SQD100N02-3M5L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd100n02-3m5l.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.