SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.88 грн |
| 10+ | 91.9 грн |
| 100+ | 63.8 грн |
| 250+ | 58.54 грн |
| 500+ | 53.14 грн |
| 1000+ | 45.55 грн |
| 2000+ | 43.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції SQD100N04-3m6L_GE3 за ціною від 104.59 грн до 127 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD100N04-3M6L_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SQD100N04-3M6L-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товар відсутній |
|||||||
| SQD100N04-3M6L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 136W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||
 |
SQD100N04-3m6L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA |
товар відсутній |
|||||||
|
|
SQD100N04-3m6L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA |
товар відсутній |
|||||||
|
|
SQD100N04-3M6L-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE |
товар відсутній |
|||||||
| SQD100N04-3M6L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 136W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |