Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD100N04-3m6L_GE3

SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Siliconix


sqd100n04-3m6l.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+161.04 грн
10+99.70 грн
100+67.90 грн
500+50.96 грн
1000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQD100N04-3m6L_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQD100N04-3m6L_GE3 SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Siliconix sqd100n04-3m6l.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3 SQD100N04-3M6L-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6L_GE3 SQD100N04-3m6L_GE3 Vishay Semiconductors sqd100n04-3m6l.pdf MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6L_GE3 sqd100n04-3m6l.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3m6L_GE3 sqd100n04-3m6l.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.