Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD10950E_GE3
SQD10950E_GE3

SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix

sqd10950e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD10950E_GE3 за ціною від 37.93 грн до 111.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD10950E_GE3 SQD10950E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd10950e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.39 грн
10+82.20 грн
100+63.96 грн
500+50.88 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 SQD10950E_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd10950e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.72 грн
10+90.49 грн
100+61.24 грн
500+51.89 грн
1000+42.31 грн
2000+39.79 грн
4000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 Виробник : Vishay sqd10950e.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 Виробник : Vishay sqd10950e.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.