Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD10950E_GE3
SQD10950E_GE3

SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix

sqd10950e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.62 грн
10+90.69 грн
100+61.24 грн
500+45.63 грн
1000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD10950E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 11.5 A, 0.162 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 62W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm.

Інші пропозиції SQD10950E_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQD10950E_GE3 SQD10950E_GE3 Vishay / Siliconix sqd10950e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 SQD10950E_GE3 VISHAY sqd10950e.pdf Description: VISHAY - SQD10950E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 11.5 A, 0.162 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 sqd10950e.pdf
SQD10950E_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 sqd10950e.pdf
SQD10950E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD10950E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 11.5 A, 0.162 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.