Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD10N30-330H_GE3
SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix

sqd10n30-330h.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.76 грн
10+89.35 грн
100+64.05 грн
500+47.93 грн
1000+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD10N30-330H_GE3 за ціною від 43.55 грн до 126.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd10n30-330h.pdf MOSFETs N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.17 грн
10+102.37 грн
100+69.08 грн
500+58.49 грн
1000+47.60 грн
2000+45.76 грн
4000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Виробник : Vishay sqd10n30-330h.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.