Продукція > VISHAY > SQD15N06-42L_GE3
SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3 Vishay

sqd15n06-42l.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD15N06-42L_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQD15N06-42L_GE3 за ціною від 25.40 грн до 109.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Виробник : VISHAY sqd15n06-42l.pdf Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.83 грн
500+37.78 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Виробник : VISHAY sqd15n06-42l.pdf Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.29 грн
12+71.72 грн
100+51.83 грн
500+37.78 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd15n06-42l.pdf MOSFETs 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.55 грн
10+75.30 грн
100+45.91 грн
500+36.05 грн
1000+32.88 грн
2000+30.83 грн
4000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+66.29 грн
100+44.21 грн
500+32.59 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 Виробник : VISHAY sqd15n06-42l.pdf Category: Unclassified
Description: SQD15N06-42L_GE3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L-GE3 SQD15N06-42L-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L-GE3 SQD15N06-42L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd15n06-42l.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.