Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQD15N06-42L_GE3
SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3 Vishay / Siliconix

sqd15n06-42l.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.09 грн
10+71.47 грн
100+43.57 грн
500+34.22 грн
1000+31.21 грн
2000+29.26 грн
4000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD15N06-42L_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 37W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

Інші пропозиції SQD15N06-42L_GE3 за ціною від 29.34 грн до 117.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.43 грн
100+43.64 грн
500+32.17 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 VISHAY sqd15n06-42l.pdf Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
11+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 VISHAY sqd15n06-42l.pdf Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.62 грн
10+65.43 грн
100+43.64 грн
500+32.17 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.31 грн
11+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.