Продукція > VISHAY > SQD19P06-60L_GE3
SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3 Vishay

sqd19p06.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD19P06-60L_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQD19P06-60L_GE3 за ціною від 42.01 грн до 163.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Виробник : VISHAY 2614550.pdf Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.37 грн
500+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Виробник : VISHAY sqd19p06.pdf Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.57 грн
10+88.31 грн
100+70.07 грн
500+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd19p06.pdf MOSFETs 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.63 грн
10+99.83 грн
100+63.56 грн
500+51.79 грн
1000+46.05 грн
2000+44.88 грн
4000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd19p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.14 грн
10+100.54 грн
100+68.20 грн
500+50.98 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 Виробник : VISHAY sqd19p06.pdf SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
20+56.10 грн
53+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Виробник : Vishay sqd19p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Виробник : Vishay sqd19p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd19p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L-GE3 SQD19P06-60L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.