SQD19P06-60L_GE3 Vishay
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 36.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD19P06-60L_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 20, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQD19P06-60L_GE3 за ціною від 43.18 грн до 124.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 28814 шт: термін постачання 450-459 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 20 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 46 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 46 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046 Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -11A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQD19P06-60L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -11A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |