Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD23N06-31L_GE3
SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix

sqd23n06-31l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQD23N06-31L_GE3 за ціною від 48.44 грн до 155.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD23N06-31L_GE3 SQD23N06-31L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.88 грн
10+103.74 грн
100+83.40 грн
500+64.30 грн
1000+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 SQD23N06-31L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd23n06-31l.pdf MOSFETs 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.83 грн
10+104.66 грн
100+69.06 грн
250+59.52 грн
500+57.17 грн
1000+50.86 грн
2000+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L-GE3 Виробник : Vishay sqd23n06-31l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 SQD23N06-31L_GE3 Виробник : Vishay sqd23n06-31l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L-GE3 SQD23N06-31L-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.