Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQD23N06-31L_GE3
SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3 Vishay / Siliconix

sqd23n06-31l.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.04 грн
10+113.23 грн
100+68.43 грн
500+57.68 грн
1000+56.91 грн
2000+48.32 грн
4000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD23N06-31L_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD23N06-31L_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQD23N06-31L-GE3 SQD23N06-31L-GE3 Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L-GE3 sqd23n06-31l.pdf
SQD23N06-31L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 sqd23n06-31l.pdf
SQD23N06-31L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD23N06-31L_GE3 sqd23n06-31l.pdf
SQD23N06-31L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.