Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3 Vishay / Siliconix

Name: SQD23N06-31L_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 140520-4
Price: 359.54 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	179.77 грн
10+	113.06 грн
100+	68.33 грн
500+	57.59 грн
1000+	56.82 грн
2000+	48.25 грн
4000+	45.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQD23N06-31L_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD23N06-31L_GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SQD23N06-31L-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SQD23N06-31L_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SQD23N06-31L_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.