Продукція > VISHAY > SQD30N05-20L_GE3
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3 VISHAY


sqd30n05-20l.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.69 грн
10+90.36 грн
100+71.23 грн
500+54.65 грн
1000+44.03 грн
5000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD30N05-20L_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQD30N05-20L_GE3 за ціною від 41.73 грн до 160.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD30N05-20L_GE3 SQD30N05-20L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd30n05-20l.pdf MOSFETs N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 31154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.61 грн
10+90.13 грн
100+61.90 грн
500+51.16 грн
1000+44.63 грн
2000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 SQD30N05-20L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd30n05-20l.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.13 грн
10+98.34 грн
100+66.79 грн
500+49.98 грн
1000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 SQD30N05-20L_GE3 Виробник : Vishay 519sqd30n05-20l.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L-GE3 Виробник : Vishay 519sqd30n05-20l.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 Виробник : VISHAY sqd30n05-20l.pdf SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 SQD30N05-20L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd30n05-20l.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.