Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD40081EL_GE3
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3 Vishay Siliconix

sqd40081el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.35 грн
4000+37.49 грн
6000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40081EL_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQD40081EL_GE3 за ціною від 30.71 грн до 131.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay sqd40081el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : VISHAY sqd40081el.pdf Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.15 грн
500+48.83 грн
1000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.81 грн
212+57.84 грн
500+47.36 грн
1000+41.27 грн
2000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.97 грн
10+68.53 грн
100+53.71 грн
500+42.41 грн
1000+35.48 грн
2000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.35 грн
193+63.47 грн
500+50.65 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+86.40 грн
10+85.75 грн
25+85.10 грн
50+81.43 грн
100+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+92.35 грн
134+91.65 грн
135+90.95 грн
136+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+98.30 грн
10+77.94 грн
100+58.64 грн
500+45.13 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.84 грн
10+89.31 грн
100+60.22 грн
500+44.79 грн
1000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40081el.pdf MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.05 грн
10+93.95 грн
100+59.55 грн
500+47.18 грн
1000+41.99 грн
2000+39.55 грн
4000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : VISHAY sqd40081el.pdf Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.90 грн
10+96.78 грн
100+67.15 грн
500+48.83 грн
1000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 транзистор
Код товару: 196931
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Виробник : Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.