Інші пропозиції SQD40081EL_GE3 транзистор за ціною від 38.16 грн до 122.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 71W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id |
на замовлення 6152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 71W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQD40081EL_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 85.16 грн |
| 212+ | 66.74 грн |
| 500+ | 54.65 грн |
| 1000+ | 47.62 грн |
| 2000+ | 39.75 грн |
| SQD40081EL_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 97.33 грн |
| 193+ | 73.23 грн |
| 500+ | 58.44 грн |
| 1000+ | 52.06 грн |
| SQD40081EL_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 103.09 грн |
| 10+ | 85.16 грн |
| 100+ | 66.74 грн |
| 500+ | 52.70 грн |
| 1000+ | 44.09 грн |
| 2000+ | 38.16 грн |
| SQD40081EL_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 133+ | 106.56 грн |
| 134+ | 105.75 грн |
| 135+ | 104.94 грн |
| 136+ | 100.41 грн |
| SQD40081EL_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.36 грн |
| 10+ | 106.56 грн |
| 25+ | 105.75 грн |
| 50+ | 101.19 грн |
| 100+ | 92.97 грн |
| SQD40081EL_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 122.15 грн |
| 10+ | 96.85 грн |
| 100+ | 72.86 грн |
| 500+ | 56.07 грн |
| 1000+ | 47.97 грн |
| SQD40081EL_GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQD40081EL_GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQD40081EL_GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





