Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SQD40081EL_GE3 транзистор

SQD40081EL_GE3 транзистор

Код товару: 196931
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQD40081EL_GE3 транзистор за ціною від 38.24 грн до 137.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.35 грн
212+66.89 грн
500+54.77 грн
1000+47.73 грн
2000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.54 грн
193+73.40 грн
500+58.57 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.32 грн
10+85.35 грн
100+66.89 грн
500+52.82 грн
1000+44.19 грн
2000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.79 грн
134+105.98 грн
135+105.17 грн
136+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.60 грн
10+106.79 грн
25+105.98 грн
50+101.41 грн
100+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.43 грн
10+97.06 грн
100+73.03 грн
500+56.20 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.23 грн
50+63.46 грн
100+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay / Siliconix sqd40081el.pdf MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+85.35 грн
212+66.89 грн
500+54.77 грн
1000+47.73 грн
2000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+97.54 грн
193+73.40 грн
500+58.57 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+103.32 грн
10+85.35 грн
100+66.89 грн
500+52.82 грн
1000+44.19 грн
2000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+106.79 грн
134+105.98 грн
135+105.17 грн
136+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+107.60 грн
10+106.79 грн
25+105.98 грн
50+101.41 грн
100+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+122.43 грн
10+97.06 грн
100+73.03 грн
500+56.20 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 sqd40081el.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.95 грн
10+84.23 грн
50+63.46 грн
100+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 sqd40081el.pdf
SQD40081EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 VISH-S-A0004852722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD40081EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 VISH-S-A0004852722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD40081EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.