SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix


sqd40131el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQD40131EL_GE3 за ціною від 34.34 грн до 145.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : VISHAY sqd40131el.pdf Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.40 грн
500+48.91 грн
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40131el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.29 грн
10+81.36 грн
100+54.77 грн
500+40.72 грн
1000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40131el.pdf MOSFETs -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.85 грн
10+90.87 грн
100+53.03 грн
500+42.09 грн
1000+38.98 грн
2000+36.17 грн
4000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : VISHAY sqd40131el.pdf Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.75 грн
50+98.02 грн
100+66.40 грн
500+48.91 грн
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay sqd40131el.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay sqd40131el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.