Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

sqd40p10-40l.pdf
Код товару: 179445
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQD40P10-40L_GE3 за ціною від 73.78 грн до 229.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+96.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.50 грн
10+125.60 грн
25+124.38 грн
100+108.83 грн
250+98.76 грн
500+87.59 грн
1000+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+131.50 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.24 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.81 грн
10+153.66 грн
100+137.93 грн
250+128.51 грн
500+104.08 грн
1000+94.71 грн
2000+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.38 грн
10+144.17 грн
100+100.44 грн
500+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay / Siliconix sqd40p10-40l.pdf MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+96.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.50 грн
10+125.60 грн
25+124.38 грн
100+108.83 грн
250+98.76 грн
500+87.59 грн
1000+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+131.50 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+164.24 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.81 грн
10+153.66 грн
100+137.93 грн
250+128.51 грн
500+104.08 грн
1000+94.71 грн
2000+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.38 грн
10+144.17 грн
100+100.44 грн
500+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.