Продукція > VISHAY > SQD40P10-40L_GE3
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3 Vishay

sqd40p10-40l.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40P10-40L_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD40P10-40L_GE3 за ціною від 79.54 грн до 219.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.033 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.92 грн
500+92.98 грн
1000+79.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.033 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.84 грн
10+153.04 грн
100+122.92 грн
500+92.98 грн
1000+79.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40p10-40l.pdf MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 25727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.50 грн
10+167.74 грн
25+141.50 грн
100+108.85 грн
250+107.40 грн
500+93.61 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.01 грн
10+152.77 грн
100+113.94 грн
500+87.07 грн
1000+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3
Код товару: 179445
Додати до обраних Обраний товар

sqd40p10-40l.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.