Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD40P10-40L_GE3
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix

sqd40p10-40l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+78.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD40P10-40L_GE3 за ціною від 77.83 грн до 231.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay sqd40p10-40l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+115.85 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+124.13 грн
10+118.56 грн
25+117.41 грн
100+102.73 грн
250+93.23 грн
500+82.68 грн
1000+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.93 грн
500+106.60 грн
1000+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+144.70 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+156.51 грн
10+145.05 грн
100+130.20 грн
250+121.31 грн
500+98.25 грн
1000+89.41 грн
2000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.17 грн
10+154.25 грн
100+107.45 грн
500+87.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40p10-40l.pdf MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.85 грн
10+174.77 грн
100+108.44 грн
500+93.93 грн
1000+89.35 грн
2000+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Виробник : VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.31 грн
10+185.90 грн
100+131.93 грн
500+106.60 грн
1000+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3
Код товару: 179445
Додати до обраних Обраний товар

sqd40p10-40l.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.