Продукція > VISHAY > SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY

Name: SQD50N04-4M5L_GE3
Brand: VISHAY
SKU: 4579255-6
Price: 833.5500000000001 UAH
Availability: InStock

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	166.71 грн
10+	133.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQD50N04-4M5L_GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : VISHAY	Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised	на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.5mΩ Power dissipation: 136W Gate charge: 85nC Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : Vishay Semiconductors	MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQD50N04-4M5L_GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.5mΩ Power dissipation: 136W Gate charge: 85nC Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.