Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50N04-5m6_T4GE3
SQD50N04-5m6_T4GE3

SQD50N04-5m6_T4GE3 Vishay Siliconix

sqd50n04-5m6.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.25 грн
5000+ 40.58 грн
12500+ 38.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50N04-5m6_T4GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD50N04-5m6_T4GE3 за ціною від 39.19 грн до 116.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD50N04-5m6_T4GE3 SQD50N04-5m6_T4GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n04-5m6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.88 грн
10+ 84.29 грн
100+ 65.55 грн
500+ 52.15 грн
1000+ 42.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD50N04-5m6_T4GE3 SQD50N04-5m6_T4GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd50n04-5m6.pdf MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.05 грн
10+ 94.43 грн
100+ 63.96 грн
500+ 53.74 грн
1000+ 43.8 грн
2500+ 40.39 грн
5000+ 39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD50N04-5M6-T4GE3 Виробник : Vishay sqd50n04-5m6.pdf P-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
SQD50N04-5M6-T4GE3 SQD50N04-5M6-T4GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE
товар відсутній