Продукція > VISHAY > SQD50N05-11L_GE3
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3 VISHAY

sqd50n05-11l.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 7952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.48 грн
500+66.13 грн
1000+47.82 грн
5000+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50N05-11L_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQD50N05-11L_GE3 за ціною від 47.96 грн до 139.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50n05-11l.pdf MOSFET 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7938 шт:
термін постачання 317-326 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.32 грн
10+110.83 грн
100+77.25 грн
250+74.30 грн
500+64.00 грн
1000+54.07 грн
2000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Виробник : VISHAY sqd50n05-11l.pdf Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.47 грн
10+103.99 грн
100+73.78 грн
500+56.10 грн
1000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 Виробник : Vishay sqd50n05-11l.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3 Виробник : VISHAY SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n05-11l.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n05-11l.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.