Продукція > VISHAY > SQD50N06-09L_GE3
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3 Vishay

sqd50n06.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50N06-09L_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD50N06-09L_GE3 за ціною від 163.80 грн до 319.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n06-09l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.86 грн
10+244.27 грн
100+191.21 грн
500+176.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd50n06-09l.pdf MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 36619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.98 грн
10+270.73 грн
100+185.13 грн
500+181.32 грн
1000+163.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L-GE3 SQD50N06-09L-GE3 Виробник : Vishay sqd50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L-GE3 SQD50N06-09L-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n06-09l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L-GE3 SQD50N06-09L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50n06.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.