Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50N10-8m9L_GE3
SQD50N10-8m9L_GE3

SQD50N10-8m9L_GE3 Vishay Siliconix

sqd50n10-8m9l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.95 грн
4000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50N10-8m9L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD50N10-8m9L_GE3 за ціною від 52.38 грн до 164.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD50N10-8m9L_GE3 SQD50N10-8m9L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n10-8m9l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
10+103.15 грн
100+77.28 грн
500+58.16 грн
1000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3 SQD50N10-8m9L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd50n10-8m9l.pdf MOSFETs 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 21513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.79 грн
10+109.98 грн
100+72.69 грн
250+63.20 грн
500+60.69 грн
1000+53.85 грн
2000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8M9L-GE3 Виробник : Vishay sqd50n10-8m9l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8M9L_GE3 SQD50N10-8M9L_GE3 Виробник : Vishay sqd50n10-8m9l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.