Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50P04-09L_GE3
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix

sqd50p04.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+89.42 грн
6000+ 82.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SQD50P04-09L_GE3 за ціною від 85.82 грн до 206.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD50P04-09L_GE3 SQD50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p04.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.95 грн
10+ 148.49 грн
100+ 120.15 грн
500+ 100.23 грн
1000+ 85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQD50P04-09L_GE3 SQD50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50p04.pdf MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 25662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.92 грн
10+ 183.34 грн
100+ 130.86 грн
500+ 110.93 грн
1000+ 93.66 грн
2000+ 89.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQD50P04-09L_GE3 SQD50P04-09L_GE3 Виробник : Vishay sqd50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SQD50P04-09L-GE3 SQD50P04-09L-GE3 Виробник : Vishay sqd50p04.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SQD50P04-09L-GE3 SQD50P04-09L-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p04.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
товар відсутній
SQD50P04-09L-GE3 SQD50P04-09L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50p04.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P04-09L_GE3
товар відсутній