Продукція > VISHAY > SQD50P06-15L_GE3
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3 Vishay


sqd50p06.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50P06-15L_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD50P06-15L_GE3 за ціною від 89.14 грн до 272.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+99.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.30 грн
10+179.83 грн
100+131.44 грн
500+109.64 грн
1000+93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50p06.pdf MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.87 грн
10+191.00 грн
100+118.09 грн
500+105.14 грн
1000+104.37 грн
2000+89.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L-GE3 SQD50P06-15L-GE3 Виробник : Vishay sqd50p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L-GE3 SQD50P06-15L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 Виробник : VISHAY sqd50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 45W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.