Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50P06-15L_T4GE3
SQD50P06-15L_T4GE3

SQD50P06-15L_T4GE3 Vishay Siliconix

sqd50p06.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50P06-15L_T4GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD50P06-15L_T4GE3 за ціною від 44.22 грн до 175.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD50P06-15L_T4GE3 SQD50P06-15L_T4GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p06.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.81 грн
10+101.48 грн
100+68.92 грн
500+51.58 грн
1000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3 SQD50P06-15L_T4GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50p06.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 19410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.19 грн
10+114.55 грн
100+68.14 грн
500+54.33 грн
1000+49.88 грн
2500+45.13 грн
5000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3 Виробник : Vishay sqd50p06.pdf Automotive P Channel 60 V D S 175 Degree MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.