Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQD50P08-25L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 6595024-3
Price: 165360.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2000+	82.68 грн
6000+	74.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 21-31 дні (днів)

Мінімальна партія: 2000 шт

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції SQD50P08-25L_GE3 за ціною від 82.76 грн до 280.00 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQD50P08-25L_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.68 грн
10+	162.22 грн
50+	125.01 грн
100+	106.08 грн
500+	86.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16832 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

2+	280.00 грн
10+	139.30 грн
100+	109.09 грн
500+	89.53 грн
2000+	82.76 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L"GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQD50P08-25L"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 50A, TO-252AA
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 5498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 5498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	258.68 грн
10+	162.22 грн
50+	125.01 грн
100+	106.08 грн
500+	86.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16832 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	280.00 грн
10+	139.30 грн
100+	109.09 грн
500+	89.53 грн
2000+	82.76 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L"GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-25L"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 50A, TO-252AA
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 5498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 5498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.