Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50P08-25L_GE3
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

sqd50p08.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+80.23 грн
4000+72.63 грн
6000+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SQD50P08-25L_GE3 за ціною від 78.21 грн до 259.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQD50P08-25L"GE3 SQD50P08-25L"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQD50P08-25L"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 50A, TO-252AA
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.25 грн
10+171.89 грн
25+158.04 грн
50+132.38 грн
100+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.59 грн
10+157.42 грн
100+109.69 грн
500+83.81 грн
1000+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 SQD50P08-25L_GE3 Vishay / Siliconix sqd50p08.pdf MOSFETs 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.88 грн
10+167.03 грн
100+101.25 грн
500+83.09 грн
1000+82.40 грн
2000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 SQD50P08-25L_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 7848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+259.88 грн
50+169.45 грн
100+118.12 грн
500+90.02 грн
1000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L"GE3
SQD50P08-25L"GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-25L"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 50A, TO-252AA
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+214.25 грн
10+171.89 грн
25+158.04 грн
50+132.38 грн
100+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-25L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.59 грн
10+157.42 грн
100+109.69 грн
500+83.81 грн
1000+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-25L_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+259.88 грн
10+167.03 грн
100+101.25 грн
500+83.09 грн
1000+82.40 грн
2000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-25L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 7848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+259.88 грн
50+169.45 грн
100+118.12 грн
500+90.02 грн
1000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.