Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50P08-28_GE3
SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3 Vishay Siliconix

sqd50p08.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+84.45 грн
6000+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50P08-28_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SQD50P08-28_GE3 за ціною від 74.72 грн до 244.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY VISH-S-A0001225101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.61 грн
500+82.45 грн
1000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 Vishay Siliconix sqd50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.96 грн
10+149.86 грн
100+119.23 грн
500+94.68 грн
1000+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY VISH-S-A0001225101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.40 грн
10+159.67 грн
100+111.61 грн
500+82.45 грн
1000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 Vishay / Siliconix VISH_S_A0001225101_1-2567390.pdf MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 VISH-S-A0001225101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD50P08-28_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+111.61 грн
500+82.45 грн
1000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-28_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+186.96 грн
10+149.86 грн
100+119.23 грн
500+94.68 грн
1000+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 VISH-S-A0001225101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD50P08-28_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+244.40 грн
10+159.67 грн
100+111.61 грн
500+82.45 грн
1000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 VISH_S_A0001225101_1-2567390.pdf
SQD50P08-28_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.